Uni-Logo
Sektionen
Sie sind hier: Startseite Projekte Integrierte Materialien, Mikrosystemtechnik und Detektortechnologie Wachstum von defektarmen AlN-Schichten mittels Molekularstrahlepitaxie MBE
Artikelaktionen

Wachstum von defektarmen AlN-Schichten mittels Molekularstrahlepitaxie MBE

M. Fiederle, R. Boger, K.W. Benz, M. Bickermann (1), B. Epelbaum (1), A. Winnacker (1)

(1) Universität Erlangen
Projektträger: Deutsche Forschungsgemeinschaft DFG


Forschungsziele

  • Züchtung von Volumenkristallen AlN als Substrate
  • Wachstum von AlN-Schichten auf AlN-Substraten
  • Reduzierung der Defektdichte von ALN-Schichten


Kurzzusammenfassung
Die Reduzierung der Defektdichten in GaN, AlN und dem ternären Mischsystem (Al,Ga)N ist aktuelles Thema im Bereich der Substratherstellung und Epitaxie von III-V Halbleitern. In einem vorangehenden Projekt wurde erfolgreich die Herstellung von AlNKristallen entwickelt und durchgeführt. Des weiteren konnte ein direkter Zusammenhang der Defektdichte von Substrat und Epitaxieschicht nachgewiesen werden. Durch Fortführung und Optimierung der Züchtungsversuche hinsichtlich struktureller Qualität und Orientierung der AlN-Körner sowie der Anwendung der Kornauslese („grain selection“) kann eine Bereitstellung geeigneter AlN-Substrate für detaillierte Untersuchungen des epitaktischen Wachstums mittels MBE ermöglicht werden. Im Folgeprojekt soll die Optimierung des ternären Systems (Al,Ga)N und der Einsatz von AlN-Substraten im Vordergrund stehen.

Benutzerspezifische Werkzeuge